The IHW30N160R2 is a TrenchStop® Reverse Conducting (RC-) IGBT with monolithic body diode with very low forward voltage and body diode clamps negative voltages. Qualified according to JEDEC for target applications.
Very low forward voltage
Low EMI
Tighten parameter distribution
High ruggedness, temperature stable behaviour
Better thermal management
Области применения
Управление Питанием Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IHW30N160R2FKSA1 от Infineon Technologies AG оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IHW30N160R2FKSA1 оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IHW30N160R2FKSA1 формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IHW30N160R2FKSA1 от Infineon Technologies AG и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru