Reverse conducting IGBT with monolithic body diode suitable for use in inductive cooking, inverterized microwave ovens, resonant converters and soft switching applications. TRENCHSTOP™ technology applications offers very tight parameter distribution, high ruggedness, temperature stable behaviour, low VCEsat, easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCEsat.
Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only
Low EMI
Qualified according to JEDEC for target applications
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IHW25N120E1XKSA1 от Infineon Technologies AG оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IHW25N120E1XKSA1 оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IHW25N120E1XKSA1 формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IHW25N120E1XKSA1 от Infineon Technologies AG и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru