Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGP20N60H3

БТИЗ транзистор , 20 А, 2.4 В, 170 Вт, 600 В, TO-220, 3 вывод(-ов)

The IGP20N60H3 is a High Speed IGBT in Trench and field-stop technology. The high speed device is used to reduce the size of the active components (25 to 70kHz). Infineon's high speed 3 family provides the best compromise between switching and conduction losses. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-OFF switching behaviour, leading to low turn-OFF losses.

Designed specifically to replace planar MOSFETs in applications switching @ frequencies below 70kHz
Low switching losses for high efficiency
Fast switching behaviour with low EMI emissions
Optimized diode for target applications, meaning further improvement in switching losses
Low gate resistor selection possible (down to 5R) whilst maintaining excellent switching behaviour
Short-circuit capability
Excellent performance
Low switching and conduction losses
Very good EMI behaviour
Small gate resistor for reduced delay time and voltage overshoot

Best-in-class IGBT efficiency and EMI behaviour
Packaged with and without freewheeling diode for increased design freedom
Green product
Halogen-free

Области применения

Управление Питанием, Альтернативаня Энергия

Производитель: Infineon Technologies AG

Номер по каталогу производителя

IGP20N60H3

Линейка Продукции

Максимальная Рабочая Температура

175°C

Стандарты Автомобильной Промышленности

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

DC Ток Коллектора

20А

Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)

2.4В

Рассеиваемая Мощность

170Вт

Напряжение Коллектор-Эмиттер

600В

Стиль Корпуса Транзистора

TO-220

полное описание

Цена по запросу

Минимальная сумма счета 30 000 рублей!

Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!

Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.

Описание

Купить Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGP20N60H3 от Infineon Technologies AG оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGP20N60H3 оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGP20N60H3 формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGP20N60H3 от Infineon Technologies AG и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru

Популярные в разделе

Наименование Код заказа Стоимость Кол-во

    
			Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HGTD1N120BNS9A
БТИЗ транзистор , 5.3 А, 2.5 В, 60 Вт, 1.2 кВ, TO-252AA, 3 вывод(-ов)

					    Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
		
	HGTD1N120BNS9A

		по запросу
		
			Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) STGW19NC60W

					    Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
		
	STGW19NC60W

		по запросу
		
			Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) STGW19NC60HD
БТИЗ транзистор , 42 А, 2 В, 140 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

					    Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
		
	STGW19NC60HD

		по запросу
		
			Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGP30N65F5

					    Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
		
	IGP30N65F5

		по запросу

Наименование Код заказа Стоимость Кол-во