Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HGTG30N60B3

БТИЗ транзистор , 60 А, 1.45 В, 208 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

The HGTG30N60B3 is a PT IGBT combines the best features of high input impedance of a MOSFET and the low ON-state conduction loss of a bipolar transistor. It is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as UPS, solar inverter and power supplies.

Short-circuit rating
1.45V @ IC = 30A Low saturation voltage
90ns Fall time @ TJ = 150°C
208W Total power dissipation @ TC = 25°C

Области применения

Управление Питанием, Альтернативаня Энергия

Производитель: Onsemi

Номер по каталогу производителя

HGTG30N60B3

Линейка Продукции

Максимальная Рабочая Температура

150°C

Стандарты Автомобильной Промышленности

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

DC Ток Коллектора

60А

Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)

1.45В

Рассеиваемая Мощность

208Вт

Напряжение Коллектор-Эмиттер

600В

Стиль Корпуса Транзистора

TO-247

полное описание

2.74 €

Минимальная сумма счета 30 000 рублей!

Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!

Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.

Описание

Купить Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HGTG30N60B3 от Onsemi оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HGTG30N60B3 оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HGTG30N60B3 формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HGTG30N60B3 от Onsemi и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru

Популярные в разделе

Наименование Код заказа Стоимость Кол-во

    
			Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IXGA48N60B3

				Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
	
IXGA48N60B3

					по запросу
			
			Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IXGH32N90B2D1

				Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
	
IXGH32N90B2D1

					по запросу
			
			Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IXGH17N100AU1

				Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
	
IXGH17N100AU1

					по запросу
			
			Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IXYH50N65C3

				Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
	
IXYH50N65C3

					по запросу

Наименование Код заказа Стоимость Кол-во

                    
			Телефонные разъемы TJS-102BNX303PEU

				Аудио- и видеоразъемы / Телефонные разъемы
	
TJS-102BNX303PEU

					по запросу
			
			Биполярные транзисторы - BJT Jantx2N6987

				Транзисторы / Биполярные транзисторы - BJT
	
Jantx2N6987

					по запросу
			
			Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HGTG30N60C3D
БТИЗ транзистор , 63 А, 1.8 В, 208 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

				Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
	
HGTG30N60C3D

		5.27 €	

			Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FSBB15CH60

				Транзисторы / Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
	
FSBB15CH60

					по запросу

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HGTG30N60B3

Области применения

2.74 €

Уважаем вашу конфиденциальность

Настройка cookie