The MMBT5551 is a NPN Bipolar Transistor designed for general-purpose high-voltage amplifiers and gas discharge display drivers.
-55 to 150°C Operating junction temperature range
Области применения
Управление Питанием, Мультимедиа, ПромышленноеThe MMBT5551-7-F is a NPN small signal Bipolar Transistor offers 600mA continuous collector current and 180V collector-base voltage. It is ideal for low power amplification and switching.
UL94V-0 Flammability rating
Epitaxial planar die construction
MMBT5401 Complementary PNP type
Halogen-free, Green device
-55 to 150°C Operating temperature range
Области применения
Оборона, Военная и Авиационно-космическое, Авто, Управление Питанием, Промышленное
Поставка со склада или на заказ (2-3 недели). Доставка по всей России!
Оформление заказа не является покупкой. Менеджер уточнит наличие и стоимость товара и свяжется с Вами.
Описание
Купить Биполярные транзисторы - BJT MMBT5551-7-F от Diodes Incorporated оптом с доставкой по России.
Для того, что бы купить Биполярные транзисторы - BJT MMBT5551-7-F оптом необходимо добавить товар в корзину и перейти к оформлению заявки
Оптовая цена на Биполярные транзисторы - BJT MMBT5551-7-F формируется после отправки заявки и зависит от объема оптовой закупки
Биполярные транзисторы - BJT MMBT5551-7-F от Diodes Incorporated и огромное количество других электронных компонентов можно приобрести оптом у компании "Микон". В случае, если вы не нашли подходящий для вас товар вы можете обратиться к нам по электронной почте sale@mikon-ic.ru