Оптовые поставки электронных компонентов
Работаем только с Юридическими лицами
0

NXP

NXP NXP – голландская компания, базирующаяся на территории города Эйндховен и занимающаяся разработкой и изготовлением полупроводниковых компонентов, поставляемых во многие страны мира. Основанная в 2006 году корпорацией Philips, NXP сегодня представляет собой независимую фирму с годовым оборотом на уровне 4,4 миллиардов долларов и объединяющую в себе 30 тысяч сотрудников. Компания состоит из пяти базовых структурных подразделений, занимающихся выпуском компонентов общего применения, продукции персонального и мобильного назначения, идентификационных систем, автомобильной электроники и потребительской электроники. Высокопроизводительные решения NXP основываются на базе стандартных полупроводниковых и смешанных цифро-аналоговых компонентов высокого качества, использующихся в 8-битной, 16-битной и 32-битной архитектуре.

Наименование Код заказа Стоимость Кол-во
Защитная ИС PESD5V0L7BAS
Защитное устройство от ЭСР , TVS, 7.6 В, SOT-505, 8 вывод(-ов), PESD5
Интерфейсы / Защитная ИС
PESD5V0L7BAS
по запросу
Защитная ИС PESD5V0V1BL
Защитное устройство от ЭСР , 12.5 В, SOD-882, 2 вывод(-ов), 45 Вт, PESD5
Интерфейсы / Защитная ИС
PESD5V0V1BL
по запросу
Защитная ИС MMBZ12VALT1G
TVS-диод , TVS, Серия MMBZ, Однонаправленный, 8.5 В, 17 В, SOT-23, 3 вывод(-ов)
Интерфейсы / Защитная ИС
MMBZ12VALT1G
по запросу
Защитная ИС MMBZ15VALT1G
TVS-диод , TVS, Серия MMBZ1, Однонаправленный, 12 В, 21 В, SOT-23, 3 вывод(-ов)
Интерфейсы / Защитная ИС
MMBZ15VALT1G
по запросу
Защитная ИС MMBZ18VALT1G
TVS-диод , TVS, Серия MMBZ, Однонаправленный, 14.5 В, 25 В, SOT-23, 3 вывод(-ов)
Интерфейсы / Защитная ИС
MMBZ18VALT1G
по запросу
Защитная ИС MMBZ6V2ALT1G
TVS-диод , TVS, Однонаправленный, 3 В, 8.7 В, SOT-23, 3 вывод(-ов)
Интерфейсы / Защитная ИС
MMBZ6V2ALT1G
по запросу
Защитная ИС PESD3V3L1UL
Защитное устройство от ЭСР , 20 В, SOD-882, 2 вывод(-ов), 45 Вт, PESD3
Интерфейсы / Защитная ИС
PESD3V3L1UL
по запросу
MOSFET силовые транзисторы PH3830L
Силовой МОП-транзистор , N Канал, 30 В, 98 А, 0.004 Ом, SOT-669, Surface Mount
Транзисторы / MOSFET силовые транзисторы
PH3830L
по запросу
MOSFET силовые транзисторы PHT6N06LT
Силовой МОП-транзистор , N Канал, 55 В, 2.5 А, 0.15 Ом, SOT-223, Surface Mount
Транзисторы / MOSFET силовые транзисторы
PHT6N06LT
по запросу
MOSFET силовые транзисторы PSMN1R6-30PL
Силовой МОП-транзистор , N Канал, 30 В, 100 А, 0.0014 Ом, TO-220AB, Through Hole
Транзисторы / MOSFET силовые транзисторы
PSMN1R6-30PL
по запросу
MOSFET силовые транзисторы PH2520U
Силовой МОП-транзистор , N Канал, 20 В, 100 А, 0.0021 Ом, SOT-669, Surface Mount
Транзисторы / MOSFET силовые транзисторы
PH2520U
по запросу
MOSFET силовые транзисторы PMF780SN
Силовой МОП-транзистор , N Канал, 60 В, 570 мА, 0.78 Ом, SOT-323, Surface Mount
Транзисторы / MOSFET силовые транзисторы
PMF780SN
по запросу
MOSFET силовые транзисторы PMV213SN.
Силовой МОП-транзистор , N Канал, 100 В, 1.9 А, 0.25 Ом, SOT-23, Surface Mount
Транзисторы / MOSFET силовые транзисторы
PMV213SN.
по запросу
MOSFET силовые транзисторы PHP21N06LT
Силовой МОП-транзистор , N Канал, 55 В, 19 А, 0.07 Ом, TO-220AB, Through Hole
Транзисторы / MOSFET силовые транзисторы
PHP21N06LT
по запросу
MOSFET силовые транзисторы PMG370XN
Силовой МОП-транзистор , N Канал, 30 В, 960 мА, 0.37 Ом, SOT-363, Surface Mount
Транзисторы / MOSFET силовые транзисторы
PMG370XN
по запросу
MOSFET силовые транзисторы PMZ270XN
Силовой МОП-транзистор , N Канал, 20 В, 2.15 А, 0.27 Ом, SOT-883, Surface Mount
Транзисторы / MOSFET силовые транзисторы
PMZ270XN
по запросу
Операционные усилители LF398N
Усилитель выборки и запоминания , 1 Усилитель, 4 мкс, 8 вывод(-ов)
Аналоговые ИС / Операционные усилители
LF398N
по запросу
УМЗЧ TDA7052AT/N2,118
Усилитель звуковой мощности , 550 мВт, AB, 1 канал, 4.5В до 18В, SOIC, 8 вывод(-ов)
Аналоговые ИС / УМЗЧ
TDA7052AT/N2,118
по запросу
УМЗЧ TDA8541T/N1,118
Усилитель звуковой мощности , 1.2 Вт, AB, 1 канал, 2.2В до 18В, SOIC, 8 вывод(-ов)
Аналоговые ИС / УМЗЧ
TDA8541T/N1,118
по запросу

0